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SiC Power Device Development Engineer

Celeno

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Hitachinaka, Ibaraki, Japan · Hitachinaka, Ibaraki, Japan
Posted on Friday, July 21, 2023

Job Type: Permanent  - Full Time 

Travel Required: Up to 25% 

Remote Work Available: No 

 

Renesas is one of the top global semiconductor companies in the world. We strive to develop a safer, healthier, greener, and smarter world, and our goal is to make every endpoint intelligent by offering product solutions in the automotive, industrial, infrastructure and IoT markets. Our robust product portolio includes world-leading MCUs, SoCs, analog and power products, plus Winning Combination solutions that curate these complementary products. We are a key supplier to the world’s leading manufacturers of the electronics you rely on every day; you may not see our products, but they are all around you.

 

Renesas employs roughly 21,000 people in more than 30 countries worldwide. As a global team, our employees actively embody the Renesas Culture, our guiding principles based on five key elements: Transparent, Agile, Global, Innovative, and Entrepreneurial. Renesas believes in, and has a commitment to, diversity and inclusion, with initiatives and a leadership team dedicated to its resources and values. At Renesas, we want to build a sustainable future where technology helps make our lives easier. Join us and build your future by being part of what’s next in electronics and the world.

■募集の背景

当社では、IGBT、SiCやパワーMOSなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強(大口径化や生産委託)などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。
他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。

 

■職務内容

▼SiCパワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携

 

■勤務予定地

群馬県高崎市

 

■人材要件

MUST

 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
  (半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験)

 ・期待する行動役割など(求める人物像)
  パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方

WANT

 ・パワーデバイス(IGBT,パワーMOS(Si,SiC)開発経験

 

 ・TCADシミュレーションスキル
 ・TEGレイアウトスキル
 ・デバイス電気特性評価スキル
 ・海外との共同プロジェクト経験
 ・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識

 

必要な語学

英語 ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)

日本語 ビジネス会話ができる

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